SSD Samsung 9100 Pro 2TB MZ-VAP2T0BW

Общая информация

Дата выхода на рынок 2025 г.

Описание Непревзойдённая производительность с интерфейсом PCIe® 5.0

Повысьте уровень своей системы с помощью молниеносных скоростей: до 14 800 МБ/с на чтение и до 13 400 МБ/с на запись. Это вдвое больше, чем у предыдущих моделей PCIe® 4.0, что позволяет мгновенно загружать приложения, ускорять обработку данных и работать без задержек.

Идеален для многозадачности и AI-приложений

Скорость случайного чтения/записи до 2200K/2600K IOPS обеспечивает молниеносную работу даже с фрагментированными данными. Лёгкая обработка больших проектов, стремительная загрузка игр и высокая эффективность в задачах с AI — всё это возможно с 9100 PRO.

Оптимизация энергопотребления и тепловой режим

Инновационная архитектура на основе 5-нм контроллера и продуманное управление температурой делают этот SSD до 49% энергоэффективнее по сравнению с предыдущими моделями. Вы можете быть уверены в его надёжной работе даже под серьёзной нагрузкой.

Широкая совместимость и надёжность

Компактный формат M.2 (2,38 мм толщины) позволяет легко устанавливать накопитель в настольные ПК, ноутбуки и консоли. Даже в ограниченном пространстве 9100 PRO демонстрирует стабильную и высокую производительность. Гарантия на 5 лет или до 1200 TBW обеспечивает дополнительную уверенность в надёжности устройства.

Создан для креаторов и геймеров

Этот накопитель идеален для всех, кто требует максимум: от стримеров и видеоредакторов до профессиональных геймеров. Высокие скорости PCIe® 5.0 позволяют запускать игры, записывать видео в высоком разрешении и обрабатывать большие массивы данных без малейших задержек.

Приложение Samsung Magician — полный контроль над SSD

Профессиональное ПО для мониторинга и оптимизации позволяет управлять состоянием накопителя, выполнять миграцию данных и своевременно обновлять прошивку. Всё это — в удобном и интуитивно понятном интерфейсе.

Читать дальше

Основные

Объём 2 ТБ

Форм-фактор M.2

Интерфейс PCI Express 5.0 x4

Версия NVMe 2.0

Тип микросхем Flash 3D TLC NAND

Контроллер Samsung Presto S4LY027

Размеры устройств M.2 2280

Ресурс записи 1200 TBW

Технические характеристики

DRAM-буфер

Аппаратное шифрование AES 256bit

Скорость последовательного чтения 14 700 Мбайт/с

Скорость последовательной записи 13 300 Мбайт/с

Средняя скорость случайного чтения 1 850 000 IOps

Средняя скорость случайной записи 2 600 000 IOps

Энергопотребление (чтение/запись) 8.1 Вт (режим записи 7.9 Вт)

Энергопотребление (ожидание) 4.8 Вт

Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч

Толщина 2.38 мм

Охлаждение

Подсветка

Совместимость с PS5

Комплектация

Тип поставки RTL (Retail)