Основные
|
|
Набор
Набор Память может продаваться как отдельным модулем, так и в наборе. Обычно набор согласован для многоканального доступа, т.е. модули протестированы на работоспособность при заданных параметра (частота, задержки). Впрочем, набор может стоить дороже, чем модули по отдельности. |
2 модуля |
Общий объем
Общий объем Общий объем памяти. Суммируется объем каждого модуля, если их несколько |
16 ГБ |
Объем одного модуля
Объем одного модуля Часто память продается комплектом из нескольких планок. Параметр указывает объем каждого модуля |
8 ГБ |
Тип
Тип
Существует несколько форм-факторов оперативной памяти: |
DDR4 DIMM |
ECC
ECC
Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти. |
|
Частота
Частота Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла. |
3200 МГц |
PC-индекс
PC-индекс Модули памяти, удовлетворяющие определенному стандарту JEDEC (определяет работоспособность при заданных параметрах, в том числе частоте), маркируются PC-индексом. Цифра после букв "PC" определяет поколение DDR (PC4 - DDR4, PC5 - DDR5), затем следует значение пиковой пропускной способности в Мбайт/с. |
PC4-25600 |
CAS Latency
CAS Latency Одна из наиболее важных задержек адресации памяти DRAM носит название CAS Latency (CL). CAS - это Column Address Strobe, сигнал выборки столбца, который поступает после сигнала выборки строки (Row Address Strobe, или RAS). Фактически CAS Latency определяет скорость подачи данных на выходные усилители после поступления полного адреса. Ввиду того, что память DRAM работает в пакетном режиме, а блоки данных располагаются чаще всего последовательно, задержка CAS Latency вместе с частотой обмена данными фактически определяет скорость работы памяти. Проще говоря, чем меньше CL, тем меньше будет задержка и тем выше - общая скорость памяти. Но следует помнить, что CAS Latency для упрощения указывается не в единицах времени, а в тактах, а длительность такта зависит от частоты работы памяти. Сравнивать такты для памяти различного типа не имеет смысла. |
16T |
Тайминги
Тайминги
Таймингами обычно называют сокращенное обозначение наиболее важных задержек доступа к ячейкам памяти. Сокращенная запись может состоять из 3, 4 или 5 значений, разделенных знаком "-". |
16-18-18 |
Напряжение питания
Напряжение питания Для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работала стабильно и не вышла из строя. |
1.35 В |
Технические характеристики
|
|
Расположение чипов
Расположение чипов Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонним и односторонним расположением. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы. |
одностороннее |
Количество ранков
Количество ранков Существует два основных типа: двухранговая и одноранговая ОЗУ. Если плата содержит набор из восьми 8-битных чипов (в общей сложности получается 64 бита) то это один ранг. Если плата содержит шестнадцать восьмибитных чипов, то она, соответственно, двухранговая. С точки зрения разгона, single rank намного выгоднее. Он не только дешевле по цене, но и позволяет планке взять более высокую частоту. Dual rank же на стоковых частотах показывает себя, как более мощное устройство, однако покоряет далеко не самые высокие вершины частоты. Поэтому двухранговая память лучше подойдет в стоковые сборки, где не планируется оверклокинг. |
1 |
Число микросхем
Число микросхем При равном объеме предпочтительнее приобретать модуль памяти на меньшем числе микросхем, так как при этом организация (см. Количество банков) и энергопотребление модуля будет лучше. |
8 |
Ёмкость микросхем
Ёмкость микросхем Чем выше ёмкость микросхем, тем новее технология, по которой они изготовлены, и тем лучше параметры модуля DIMM (см. Число микросхем). |
8 Гбит |
Тип микросхем
Тип микросхем Микросхемы памяти DRAM могут иметь различную организацию, например, иметь шину данных шириной 4, 8 или 16 бит. От организации микросхем зависит, какое их количество требуется для получения нужной суммарной ёмкости модуля DIMM. |
1Gx8 |
Профили XMP
Профили XMP Профили XMP, прописанные в SPD модуля памяти, позволяют средствами BIOS Setup переключиться в режим разгона, не настраивая вручную все задержки (они описаны в профиле). По сути это всего лишь встроенная помощь неопытному пользователю, который хочет разогнать память, но не знает, как. |
|
Профили AMP | |
Конструкция
|
|
Охлаждение
Охлаждение Модули памяти при разгоне испытывают повышенный нагрев, как и любые другие компоненты. Наличие радиаторов позволяет равномерно распределить и рассеять выделяемую тепловую энергию. Если радиаторы обдуваются или к ним подведена жидкость, их эффективность возрастает многократно. При отсутствии разгона наличие радиаторов нежелательно, т.к. это увеличивает стоимость. |
|
Низкопрофильный модуль
Низкопрофильный модуль Низкопрофильные модули DIMM имеют меньшую высоту, чем предписано стандартом, что теоретически позволяет улучшить циркуляцию воздуха внутри корпуса настольной системы, особенно если корпус имеет компактные размеры. Для стандартных корпусов этот параметр не играет роли. |
|
Подсветка элементов платы | |
Цвет | черный |
Внимание! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Цена 140.03 BYN не является публичной офертой.
Нашли ошибку в описании? Сообщите нам об этом. Спасибо!