Авторизация
Пароль
КАТАЛОГ

Корпуса (438) Материнские платы (400) Процессоры (273) Кулера. Вентиляторы. Термопаста (466) Оперативная память (733) Видеокарты (334) Сети и коммуникации (287) Привода, картридеры (31) Внешние жесткие диски (57) Жесткие диски (210) SSD Накопители (288) Клавиатуры, мышки, коврики (690) Ноутбуки, сумки, подставки, зарядки (1224) Акустика (121) Мониторы (629) Принтеры и МФУ (346) Планшеты (142) Блоки питания (429) ИБП, стабилизаторы и сетевые фильтры (274) Компьютеры, моноблоки, неттопы (21) Проводные и радиотелефоны. Факсы. (15) Мобильные телефоны, смартфоны, аксессуары для теле (5) Игровые устройства (5) Расходные материалы - Бумага, Чернила, Картриджи (304) Аксессуары (261) USB-Флеш, карты памяти, кардридеры, хабы (247) Кабеля, адаптеры, переходники, разветвители (589) ТV-Тюнеры, Ресиверы (4) Запчасти к телефонам, ноутбукам, планшетам. ИБП (75) Видеонаблюдение (312) Элементы питания (4) Телевизоры, проекторы, кронштейны (93) Программное обеспечение (12) Мебельная фурнитура (2) Умные часы и гаджеты (3) Беспроводные и портативные колонки (2) Айпи-телефония, умный дом (9)

Модуль памяти 16384MB DDR III KITof2 PC-15000 1866MHz Kingston HyperX Fury CL10 (HX318C10FBK2/16)
Артикул:   19492
Гарантия:   56 мес.
Сайт производителя:  
Поставщик:   ИП Шабуня В.А. г.Минск ул. Герасименко 3-11
Страна ввоза:   РФ
Добавить к сравнению
173.83 BYN

Наличие:   Под заказ 1-2 дня
  В корзину

Поделиться
Основные
Набор

Набор

Память может продаваться как отдельным модулем, так и в наборе. Обычно набор согласован для многоканального доступа, т.е. модули протестированы на работоспособность при заданных параметра (частота, задержки). Впрочем, набор может стоить дороже, чем модули по отдельности.

2 модуля
Объем 16 ГБ
Тип

Тип

Модули оперативной памяти в зависимости от конструктивной реализации и электрического интерфейса микросхем делятся на несколько типов. Наиболее распространены модули DIMM (Dual In-line Memory Module) для настольных ПК и SO-DIMM для мобильных ПК и неттопов. В свою очередь модули могут относиться к одному из поколений: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM.

DDR3 DIMM
ECC

ECC

ECC (Error Correction Coding) - метод избыточного кодирования информации, позволяющий выявлять и исправлять ошибки, как правило - единичные биты. Реализация механизма ECC позволяет защитить память от сбоев, возникающих из-за естественного "плавания" заряда в ячейках динамической памяти. Модули оперативной памяти могут быть оснащены дополнительной микросхемой для хранения кодов ECC, поскольку поддержка этого механизма изначально в них заложена. Впрочем, для корректной работы памяти с ECC должна быть обеспечена поддержка со стороны контроллера памяти (встроен в чипсет или процессор) и материнской платы. На обычных ПК такая память обычно не применяется.

Частота

Частота

Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла.

1866 МГц
PC-индекс

PC-индекс

Модули памяти, удовлетворяющие определенному стандарту JEDEC (определяет работоспособность при заданных параметрах, в том числе частоте), маркируются PC-индексом. Цифра после букв "PC" определяет поколение DDR (PC2 - DDR2, PC3 - DDR3), затем следует значение пиковой пропускной способности в Мбайт/с. Данное значение рассчитывается как произведение ширины шины памяти в байтах и частоты работы памяти. Например, для памяти DDR2 с частотой обмена данными 800 МГц индекс будет 800*8=6400, и память маркируется как PC2-6400.

PC3-14900
CAS Latency

CAS Latency

Одна из наиболее важных задержек адресации памяти DRAM носит название CAS Latency (CL). CAS - это Column Address Strobe, сигнал выборки столбца, который поступает после сигнала выборки строки (Row Address Strobe, или RAS). Фактически CAS Latency определяет скорость подачи данных на выходные усилители после поступления полного адреса. Ввиду того, что память DRAM работает в пакетном режиме, а блоки данных располагаются чаще всего последовательно, задержка CAS Latency вместе с частотой обмена данными фактически определяет скорость работы памяти. Проще говоря, чем меньше CL, тем меньше будет задержка и тем выше - общая скорость памяти. Но следует помнить, что CAS Latency для упрощения указывается не в единицах времени, а в тактах, а длительность такта зависит от частоты работы памяти. Сравнивать такты для памяти различного типа не имеет смысла.

10T
Тайминги

Тайминги

Таймингами обычно называют сокращенное обозначение наиболее важных задержек доступа к ячейкам памяти. Сокращенная запись может состоять из 3, 4 или 5 значений, разделенных знаком "-": [Tcl-]Trcd-Trp-Tras[-Tcr]. Первым может идти значение CAS Latency (Tcl), однако эта задержка часто указывается отдельно. В середине обычно указываются задержки Trcd (RAS to CAS Delay, задержка между сигналами выборки строки и столбца), Trp (RAS Precharge, задержка предзаряда) и Tras (Row Active Time, минимальное время выполнения цикла адресации до сигнала выборки следующей строки). Последним параметром иногда добавляют Tcr (Command Rate, задержка выборки микросхемы). На самом деле порядок указания задержек не так важен, поскольку их сумма определяет минимальную задержку доступа к заданной ячейке (без учета возможности конвейерной обработки): T=Tcr+Trp+Tras+Trcd+Tcl. Чем меньше каждый из параметров и их сумма, тем меньше задержки и тем выше скорость работы памяти (на заданной частоте, т.к. задержки указываются в тактах, а не временных единицах).

10-11-10
Напряжение питания

Напряжение питания

Для каждого типа памяти (SDR, DDR, DDR2, DDR3, DDR4) предусмотрено определенное напряжение питания, а точнее, стандарт уровня напряжения SSTL. Иногда для повышения стабильности работы при "заводском разгоне" производитель рекомендует более высокое напряжение. С другой стороны, для снижения энергопотребления производитель может обеспечить работоспособность памяти и на пониженном напряжении.

1.5 В
Технические характеристики
Количество банков

Количество банков

Модули памяти DIMM имеют 64-битную шину памяти, однако часто этого недостаточно, чтобы разместить требуемое количество микросхем DRAM (ввиду ограниченной ёмкости этих микросхем). Для этих целей применяют так называемые двухбанковые (dual-rank) модули DIMM, которые обычно выполнены как двухсторонние. В этом случае по сигналу выборки банка (rank) к шине подключается либо одна, либо вторая половина микросхем. Совершенно очевидно, что двухбанковые модули создают повышенную электрическую нагрузку на интерфейс памяти. Довольно часто материнские платы не поддерживают заполнение всех слотов DIMM двухбанковыми модулями памяти, либо при этом переходят на режим с пониженной частотой. По возможности всегда следует приобретать однобанковые модули, которые при этом построены на более емких (и менее энергоемких) микросхемах.

2
Число микросхем

Число микросхем

При равном объеме предпочтительнее приобретать модуль памяти на меньшем числе микросхем, так как при этом организация (см. Количество банков) и энергопотребление модуля будет лучше.

16
Ёмкость микросхем

Ёмкость микросхем

Чем выше ёмкость микросхем, тем новее технология, по которой они изготовлены, и тем лучше параметры модуля DIMM (см. Число микросхем).

4 Гбит
Тип микросхем

Тип микросхем

Микросхемы памяти DRAM могут иметь различную организацию, например, иметь шину данных шириной 4, 8 или 16 бит. От организации микросхем зависит, какое их количество требуется для получения нужной суммарной ёмкости модуля DIMM.

512Mx8
Профили XMP

Профили XMP

Профили XMP, прописанные в SPD модуля памяти, позволяют средствами BIOS Setup переключиться в режим разгона, не настраивая вручную все задержки (они описаны в профиле). По сути это всего лишь встроенная помощь неопытному пользователю, который хочет разогнать память, но не знает, как.

Профили AMP
Конструкция
Охлаждение

Охлаждение

Модули памяти при разгоне испытывают повышенный нагрев, как и любые другие компоненты. Наличие радиаторов позволяет равномерно распределить и рассеять выделяемую тепловую энергию. Если радиаторы обдуваются или к ним подведена жидкость, их эффективность возрастает многократно. При отсутствии разгона наличие радиаторов нежелательно, т.к. это увеличивает стоимость.

пассивное
Низкопрофильный модуль

Низкопрофильный модуль

Низкопрофильные модули DIMM имеют меньшую высоту, чем предписано стандартом, что теоретически позволяет улучшить циркуляцию воздуха внутри корпуса настольной системы, особенно если корпус имеет компактные размеры. Для стандартных корпусов этот параметр не играет роли.

Внимание! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Цена 173.83 BYN не является публичной офертой.
Нашли ошибку в описании? Сообщите нам об этом. Спасибо!

В нашем интернет-магазине 1Z.BY компании ООО"Диалрус" Вы можете купить Модуль памяти 16384MB DDR III KITof2 PC-15000 1866MHz Kingston HyperX Fury CL10 (HX318C10FBK2/16) по низкой цене. Мы находимся в Минске, самовывоз 7 мин от метро Пролетарская. Или можете заказать в нашем интернет-магазине Модуль памяти 16384MB DDR III KITof2 PC-15000 1866MHz Kingston HyperX Fury CL10 (HX318C10FBK2/16) и мы доставим eго Вам домой или в офис.
Товаров для сравнения : 0