SSD Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW

Общая информация

Дата выхода на рынок 2024 г.

Описание Текст описания переведен при помощи искусственного интеллекта.

Оставайтесь на пике своей игры

Скорость последовательного чтения/записи до 5,000/4,200 МБ/с и случайного чтения/записи до 680К/800К IOPS - на 43% быстрее, чем у 970 EVO Plus 2TB. Ждите меньше для игр и быстрый доступ к большим файлам.

Универсальность под ваши потребности

Созданный для удовлетворения потребностей игр, бизнеса и работы. Поддерживаемый последними интерфейсами PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2, он предлагает гибкость для текущих вычислений и будущего. Оставайтесь на пике с этим универсальным игроком.

Улучшенная энергоэффективность

Улучшение энергоэффективности на 70% по сравнению с предыдущей моделью* помогает сохранить заряд батареи при использовании компьютера. Кроме того, он поддерживает режим Modern Standby, позволяя оставаться подключенным к интернету и получать уведомления даже в режиме низкого энергопотребления.

Умное тепловое решение

Тепловая метка 990 EVO помогает контролировать температуру чипа NAND. Современный тепловой алгоритм управления Samsung, в паре с Dynamic Thermal Guard, обеспечивает постоянную и надежную производительность. Держите свою производительность на высоте, а не ваш диск.

Программное обеспечение Samsung Magician

Сделайте свой SSD работающим как волшебство. Оптимизационные инструменты программного обеспечения Samsung Magician обеспечивают лучшую производительность SSD. Это безопасный и простой способ перенести все ваши данные для обновления SSD Samsung. Защищайте ценные данные, контролируйте состояние диска и получайте последние обновления прошивки.

Приведение инноваций к жизни

Десятилетиями NAND-флэш-память Samsung приводила к революционным технологиям, которые изменили каждую часть нашей повседневной жизни. Эта технология NAND flash также обеспечивает питание наших потребительских SSD, открывая путь для следующего большого прорыва инноваций.

Основные

Объём 1 ТБ

Форм-фактор M.2

Интерфейс PCI Express 5.0 x2

Версия NVMe 2.0

Тип микросхем Flash 3D TLC NAND

Контроллер Samsung Piccolo

Размеры устройств M.2 2280

Ресурс записи 600 TBW

Технические характеристики

DRAM-буфер

Аппаратное шифрование AES 256bit

Скорость последовательного чтения 5 000 Мбайт/с

Скорость последовательной записи 4 200 Мбайт/с

Средняя скорость случайного чтения 680 000 IOps

Средняя скорость случайной записи 800 000 IOps

Энергопотребление (чтение/запись) 4.9 Вт

Энергопотребление (ожидание) 0.06 Вт

Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч

Толщина 2.38 мм

Охлаждение

Подсветка

Комплектация

Тип поставки RTL (Retail)